DTD713ZMT2L
Specificaties
Categorie:
Discrete halfgeleiderproducten
Transistors
Bipolair (BJT)
enkelvoudige, voorgevoelige bipolaire tran
Stroom - collector (Ic) (max):
200 mA
Productstatus:
Niet voor nieuwe ontwerpen
Type transistor:
Pre-Pre-Biased NPN -
Frequentie - Overgang:
260 Mhz
Montage-type:
Oppervlakte
Pakket:
Tape & Reel (TR)
Snijdband (CT)
Digi-Reel®
Reeks:
-
(Maximum) Vceverzadiging @ Ib, Ic:
300mV @ 2.5mA, 50mA
Spanning - Verdeling van de collectoremitter (max):
30 V
Verpakking van de leverancier:
VMT3
Weerstand - Basis (R1):
kOhms 1
Mfr:
Rohm halfgeleider
Weerstand - Zenderbasis (R2):
10 kOhms
Stroom - collectievergrens (maximaal):
500nA
Vermogen - Max.:
150 mw
Pakket / doos:
SOT-723
De Huidige Aanwinst van gelijkstroom (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
140 @ 100mA, 2V
Basisproductnummer:
DTD713
Invoering
Bipolaire transistor (BJT) NPN - 30 V 200 mA 260 MHz 150 mW VMT3
Verzend RFQ
Voorraad:
In Stock
MOQ: