RN1110(T5L,F,T)
Specificaties
Categorie:
Discrete halfgeleiderproducten
Transistors
Bipolair (BJT)
enkelvoudige, voorgevoelige bipolaire tran
Stroom - collector (Ic) (max):
100 mA
Productstatus:
Verouderd
Type transistor:
Pre-Pre-Biased NPN -
Montage-type:
Oppervlakte
Frequentie - Overgang:
250 MHz
Pakket:
Tape & Reel (TR)
Snijdband (CT)
Digi-Reel®
Reeks:
-
(Maximum) Vceverzadiging @ Ib, Ic:
300mV @ 250μA, 5mA
Spanning - Verdeling van de collectoremitter (max):
50 V
Verpakking van de leverancier:
SSM
Weerstand - Basis (R1):
4,7 kOhm
Mfr:
De Halfgeleider en de Opslag van Toshiba
Stroom - collectievergrens (maximaal):
100nA (ICBO)
Vermogen - Max.:
100 mw
Pakket / doos:
SC-75, DRONKAARD-416
De Huidige Aanwinst van gelijkstroom (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
120 @ 1mA, 5V
Basisproductnummer:
RN1110
Invoering
Bipolaire transistor (BJT) NPN - Biolaire transistor 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW
Verzend RFQ
Voorraad:
In Stock
MOQ: